（以上图片仅供参考）

型号：FF150R12KT3G

品牌： Infineon

批次：

封装：MODULE

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: 符合RoHS 详细信息

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.15 V

在25 C的连续集电极电流: 225 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

功率耗散: 780 W

工作温度: + 125 C

封装 / 箱体: 62 mm

商标: Infineon Technologies

栅极/发射极电压: +/- 20 V

工作温度: - 40 C

安装风格: Screw

工厂包装数量: 10

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